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通信电源功率半导体器件性能阐述

作者:昌明中频电源厂家 发布时间:2022-11-23 22:35:32点击:

1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采用超级结(Super-Junction)结构,故又称超结功率 MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内,耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间的探索研究和改进,现 在 IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已达到6500V,一般IGBT的工作频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT,可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。12V电源适配器  IGBT的技术进展实是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中。因工艺不同,IGBT在20年历史发展进程中,类型发展为:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的最佳材料,优点是:禁带宽、高温工作(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、 PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。可以预见,碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。

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